JC-14還規定了可靠性試驗規范，如HTRB高溫反向偏置試驗，H3TRB高濕高溫反偏實驗，TC溫度周次等實驗的測試方法及判定依據。
JC-25: 晶體管委員會
JC-25的職責是制定包括硅晶體管，如雙極晶體管、場效應晶體管和絕緣柵晶體管，以及智能功率器件的相關標準和出版物，這些文件有的對工程師在應用IGBT時都很有幫助，其中有如何測量管腳溫度，如何用紅外成像測芯片溫度以及短路測試方法等。
JEP84A RECOMMENDED PRACTICE FOR MEASUREMENT OF TRANSISTOR LEAD TEMPERATURE
JEP138 USER GUIDELINES FOR IR THERMAL IMAGING DETERMINATION OF DIE TEMPERATURE
JESD24-9 SHORT CIRCUIT WITHSTAND TIME TEST METHOD
此外，JEDEC制定了一系列測試方法，基于這些方法，可以開發實用的測試儀器及測試平臺，例如 Mentor熱瞬態測試儀T3STER就是基于JESD51-14開發的。
JESD51-14 TRANSIENT DUAL INTERFACE TEST METHOD FOR THE MEASUREMENT OF THE THERMAL RESISTANCE JUNCTION-TO-CASE OF SEMICONDUCTOR DEVICES WITH HEAT FLOW THROUGH A SINGLE PATH
模塊標準體系——IEC
IEC是指國際電工委員會。它成立于1906年，是世界上成立最早的國際性電工標準化機構，負責有關電氣工程和電子工程領域中的國際標準化工作。第83屆IEC大會于2019年10月14日至25日在中國上海舉辦，主題為“質量成就美好生活”，共邀請100多個國家的3800多名專家來華與會。
半導體器件屬于TC47技術委員會，IGBT單管和模塊屬于SC47E分立半導體。這里分立半導體是區別于集成電路，也包括模塊。英飛凌模塊設計主要參照IEC系列標準。
IEC60747系列標準規定了HTRB，H3TRB，PC和TST等可靠性實驗的測試標準，IGBT器件遵守的標準為
IEC60747-9 Semiconductor devices-Part 9 Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
IEC60747-9對應的國標是GB/T 29332—2012半導體器件分立器件，其中第9部分：絕緣柵雙極晶體管（IGBT），英飛凌是主要起草單位之一。
IGBT模塊所遵守標準是IEC60747-15 Discrete semiconductor devices-15 Isolated power semiconductor devices。
機械和氣候試驗方法標準適用標準為IEC60749 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods，對應的國標是GB/T 4937.1半導體器件機械和氣候試驗方法。
應用系統相關標準
IGBT應用非常廣，有些應用領域和行業針對其特定應用要求，制定了相關標準。
在直流輸電領域是高壓大電流應用，對IGBT特別的要求，SAC/TC60/SC6(即原來的TC413)組織成立了工作組，制定了國家標準GB/T37660-2019 《柔性直流輸電用電力電子器件技術規范》，并于2020年1月1日實施。英飛凌派員加入工作組，參加了起草工作。
汽車級分立半導體應力測試方法，由汽車電子委員會(AEC) 制定，標準名為AEC-Q101 STRESS TEST QUALIFICATION FOR AUTOMOTIVE GRADE DISCRETE SEMICONDUCTORS。
汽車用IGBT模塊驗證規范，2018年4月由 ECPE 歐洲電力電子研究網絡發布，標準名為AQG 324 Qualification of Power Modules for Use in Power Electronics Converter Units (PCUs) in Motor Vehicles，它前身是LV324，由汽車行業的廠商代表編制，包括奧迪，BMW，戴姆勒，保時捷，大眾等。
